VNS1NV04DPTR-E ST门驱动器 短路保护
1.特征
线性电流限制
• 热关断
• 短路保护
• 集成夹具
• 从输入引脚汲取的低电流
• 通过输入引脚的诊断反馈
• ESD 保护
• 直接访问功率 mosfet 的栅极(模拟驱动)
• 与标准功率 mosfet 兼容
• 符合 2002/95/EC 欧洲指令
2.描述
VNS1NV04DP-E 是由两个单片 OMNIFET II 芯片组成的器件,这些芯片安装在标准 SO-8 封装中。 OMNIFET II 采用 STMicroelectronics VIPower™ M0-3 技术设计:它们旨在替代直流至 50KHz 应用中的标准功率 MOSFET。 内置热关断、线性电流限制和过压钳位,可在恶劣环境中保护芯片。
可以通过监控输入引脚的电压来检测故障反馈
3.框图
4.引脚说明
5.电气规格